ASML公司首席執(zhí)行官傅恪禮近日透露，基于新一代高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術(shù)的芯片產(chǎn)品即將進入量產(chǎn)階段。這項突破性技術(shù)將同時應用于邏輯芯片和存儲芯片兩大領(lǐng)域，首批產(chǎn)品預計在未來幾個月內(nèi)面世。作為2納米以下先進制程的核心設備，High-NA EUV光刻機通過提升光學系統(tǒng)分辨率，使芯片特征尺寸縮小幅度達到66%，相當于將相機對焦精度提升至全新水平。

與傳統(tǒng)EUV設備相比，新一代光刻機在成本控制方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。傅恪禮強調(diào)，雖然單臺設備初期投入高昂，但隨著技術(shù)成熟和規(guī)模化應用，單位芯片的光刻成本將逐步降低。這種設計理念特別契合AI芯片、高帶寬內(nèi)存（HBM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）等高端產(chǎn)品的制造需求，為突破先進制程的物理極限提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。

全球半導體巨頭對這項新技術(shù)的態(tài)度呈現(xiàn)分化態(tài)勢。臺積電數(shù)周前公開表示，單臺High-NA EUV光刻機造價高達4億美元，約為現(xiàn)有設備的兩倍價格，目前尚不具備大規(guī)模采購條件。與之形成對比的是，英特爾已在美國波特蘭工廠完成兩臺設備的安裝調(diào)試，累計處理晶圓超過3萬片，并計劃在2027至2028年實現(xiàn)14A制程的量產(chǎn)目標。

存儲芯片領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出積極態(tài)度。韓國SK海力士明確宣布將于今年首次導入High-NA EUV技術(shù)，用于下一代DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)。這項技術(shù)突破不僅體現(xiàn)在分辨率提升上，其光學系統(tǒng)的革新使芯片制造精度達到前所未有的水平，為摩爾定律的延續(xù)開辟了新路徑。據(jù)技術(shù)資料顯示，新設備通過優(yōu)化數(shù)值孔徑設計，在保持高良率的同時實現(xiàn)了制程節(jié)點的跨越式發(fā)展。

行業(yè)分析師指出，High-NA EUV技術(shù)的商業(yè)化進程將深刻影響全球半導體競爭格局。雖然初期設備成本高企，但其在先進制程領(lǐng)域的不可替代性正促使頭部企業(yè)加速技術(shù)布局。隨著英特爾、SK海力士等廠商陸續(xù)完成技術(shù)導入，預計2025年后將迎來新一代芯片產(chǎn)品的集中爆發(fā)期，這場由光刻技術(shù)革新引發(fā)的產(chǎn)業(yè)變革正在重塑半導體行業(yè)的未來圖景。