在近期舉辦的“Semicon Korea 2026”半導體展會上，韓美半導體（Hanmi Semiconductor）攜其最新研發的寬幅熱壓鍵合設備亮相，引發行業廣泛關注。這款專為下一代高帶寬內存產品HBM5和HBM6設計的設備，被視為填補當前技術空白的重要突破。
據韓美半導體代表透露，受限于技術瓶頸，現有HBM量產所需的混合鍵合設備商業化進程持續滯后。而此次推出的寬幅熱壓鍵合設備通過創新設計，有望解決這一難題。該設備采用獨特的結構，能夠在HBM芯片面積增大的情況下，同步提升硅通孔（TSV）和I/O接口的數量，從而優化功耗表現。與傳統高堆疊技術相比，其能耗降低效果顯著。
技術細節方面，這款設備通過增加連接DRAM芯片的中介層與微凸點數量，實現了內存容量和帶寬的雙重提升。更值得關注的是，其可選配的“無助焊劑鍵合”功能，通過去除芯片表面氧化層并增強接合強度，使HBM整體厚度進一步縮減。這一特性對追求極致集成度的存儲器產品具有重要意義。
行業分析指出，韓美半導體的這項技術突破不僅有助于提升HBM產品的生產良率和質量穩定性，更為HBM5和HBM6的規模化量產奠定了技術基礎。隨著數據中心、人工智能等領域對高帶寬內存需求的持續增長，該設備的商業化應用或將重塑存儲器市場的競爭格局。
