在存儲芯片領域，三星與SK海力士此前雙雙推遲了第十代NAND的量產(chǎn)計劃，而鎧俠卻在這一賽道上率先給出了量產(chǎn)時間表，引發(fā)行業(yè)關注。

鎧俠宣布，已將第十代BiCS10 3D NAND閃存的量產(chǎn)列為2026財年的首要戰(zhàn)略重點，量產(chǎn)時間定在2026年5月至2027年3月這個區(qū)間內(nèi)。這一舉措顯示出鎧俠在高層NAND閃存技術上的積極布局和堅定決心。

從技術規(guī)格來看，BiCS10采用了332層存儲單元堆疊架構。與現(xiàn)款的BiCS8的218層相比，堆疊層數(shù)增加了約52%，位密度提升更是高達59%。這意味著在相同體積下，BiCS10能夠存儲更多的數(shù)據(jù)，為數(shù)據(jù)存儲帶來更高的效率。

在接口標準方面，BiCS10配合Toggle DDR 6.0接口標準，I/O傳輸速率從上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，增幅約33%。同時，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%。在標準TLC模式下，它還可實現(xiàn)單顆2Tb的存儲容量，在性能和功耗方面都取得了顯著進步。

這款芯片沿用了CMOS直接鍵合陣列（CBA）架構。該架構將邏輯電路和存儲陣列分別在不同晶圓上制造，之后再進行鍵合。這種設計方式無需借助更復雜的PLC架構，就能實現(xiàn)密度與可靠性的平衡，為芯片的性能穩(wěn)定提供了有力保障。

在生產(chǎn)布局上，鎧俠將BiCS10的量產(chǎn)任務交給了日本巖手縣北上市的K2新工廠。該工廠配備了專為高層NAND閃存設計的設備，在資本支出上相較于新建工廠大幅壓縮，這有助于鎧俠在保證生產(chǎn)的同時，控制成本。

不過，鎧俠目前尚未正式收到大規(guī)模確認訂單，相關投資輪廓預計到2026年下半年才會逐步明朗。量產(chǎn)時間表與實際出貨量之間的差距，成為鎧俠計劃中最大的不確定因素，后續(xù)發(fā)展仍有待觀察。