近日，長電科技在射頻集成無源器件（IPD）領域取得重要突破，成功完成基于玻璃通孔（TGV）結構與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級驗證。通過試制測試結構并進行實測評估，該公司證實了玻璃基底上三維集成無源器件的可制造性，并展現出顯著的性能優勢。這一成果為5G及未來6G通信所需的更寬帶寬射頻前端與系統級封裝優化開辟了新的工程化路徑。
在技術實現層面，長電科技以TGV技術構建三維互連骨架，在玻璃基板上集成電感、電容等關鍵無源元件，并將傳統平面電感升級為三維結構。這種設計有效降低了高頻損耗，同時顯著提升了器件品質因數（Q值）。實測數據顯示，在相同電感值條件下，三維電感的Q值較平面結構提升近50%，且整體性能優于硅基IPD技術路線。這一突破為射頻模組的小型化、高集成度設計提供了切實可行的工程方向。
面對5G向6G演進過程中對射頻系統帶寬、線性度和集成度的持續升級需求，長電科技依托多年技術積累，已構建起覆蓋射頻功率放大器（PA）、射頻前端（RFFE）模組及毫米波應用的完整封裝測試能力。其技術體系支持系統級封裝（SiP）、天線集成封裝（AiP）等多種形態，涵蓋共形封裝、分腔設計及選擇性濺射屏蔽等工藝，并具備5G、毫米波、窄帶物聯網（NB-IoT）及高速信號測試能力。公司還提供射頻系統仿真與封裝協同設計服務，配套建設了一站式驗證測試平臺，覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩及無線通信等領域，可支撐客戶完成從芯片到整機全鏈條的驗證導入。
長電科技副總裁、技術服務事業部總經理吳伯平透露，公司正加速推進玻璃基TGV與PSPI晶圓級IPD技術在射頻系統級封裝中的工程化落地。通過與頭部客戶及產業鏈伙伴的深度協同創新，長電科技計劃開展聯合開發與驗證工作，推動相關技術向規模化量產邁進。這一戰略布局旨在為下一代邊緣計算設備和無線連接系統提供更高性能、更高集成度的解決方案，滿足人工智能算力芯片迭代與6G通信前瞻布局的技術需求。
