據行業(yè)消息，英偉達近期對其人工智能芯片Rubin Ultra的架構設計進行了重大調整，放棄了原本激進的4-Die方案，轉而采用更為成熟的2-Die架構，預計該產品將于2027年正式推向市場。

在芯片制造領域，Die（通常被稱為裸片、裸晶、晶粒或芯片）是從一整片圓形硅晶圓上通過精密切割工藝分離下來的，每個小方塊都包含完整的集成電路功能。英偉達此次調整方案的主要原因，是先進封裝技術面臨物理極限的挑戰(zhàn)。若強行采用4-Die架構，芯片的封裝尺寸將大幅膨脹，其面積可能達到光罩極限的8倍左右，這將嚴重影響制造良率并推高生產成本。

相比之下，回歸2-Die架構方案能夠更好地平衡制造成本與量產效率。業(yè)內人士分析，這一調整不僅有助于提升芯片的制造良率，還能降低整體生產成本，從而增強產品的市場競爭力。

在制造工藝方面，Rubin Ultra將采用臺積電的N3P工藝節(jié)點，并結合CoWoS-L先進封裝技術。目前，英偉達并未削減臺積電的晶圓代工訂單，而是正在微調投片策略，將更多產能向當前的Blackwell架構傾斜，以滿足市場需求。

此前有報道指出，臺積電3納米工藝節(jié)點的產能需求極為旺盛，人工智能核心芯片對先進制程的消耗量正在急劇攀升。數據顯示，明年人工智能芯片僅占3納米產能的5%，但到后年，這一比例將飆升至36%，顯示出人工智能芯片市場的巨大潛力。