全球半導體制造領域迎來重要突破，周星工程近日宣布成功向國際知名半導體企業交付首臺原子層生長（ALG）設備。該設備作為完整的ALG晶體管集成系統，將直接應用于下一代3D垂直堆疊半導體晶體管的生產，標志著半導體制造技術向三維化轉型邁出關鍵一步。
隨著半導體器件持續微型化，傳統平面晶體管已逼近物理極限。當電路線寬縮小至納米級時，晶體管漏電流問題顯著加劇，導致芯片功耗呈指數級增長。為突破這一瓶頸，全球產業正加速向鰭式場效應晶體管（FinFET）、環柵晶體管（GAA）等三維結構轉型，而垂直堆疊晶體管單元被視為未來核心發展方向。
此次交付的ALG設備專為解決高縱橫比結構制造難題設計。與傳統原子層沉積（ALD）技術"逐層堆雪"的薄膜生長方式不同，ALG技術通過類似冰層凍結的原理，能夠形成更致密、更堅硬的薄膜結構。實驗數據顯示，該技術可將薄膜均勻性提升至99.9%以上，同時減少30%的光刻刻蝕工序，顯著降低生產成本。
技術突破體現在材料兼容性方面，ALG設備突破了傳統工藝對襯底材料的限制。除常規非存儲芯片、存儲電容器等應用外，該技術還可延伸至太陽能電池和顯示面板領域。特別在化合物半導體制造中，其低雜質特性使氮化鎵、砷化鎵等第Ⅲ-Ⅴ族材料，以及磷化銦等第Ⅲ-Ⅵ族材料的器件性能得到質的提升。
據技術文檔披露，該設備采用創新性的三維薄膜構建工藝，通過重復原子層沉積步驟直接形成立體結構。這種設計不僅確保了晶體管步進覆蓋率達到行業領先水平，更攻克了玻璃襯底等特殊材料的高雜質濃度生產難題，為柔性電子、光通信等新興領域提供技術支撐。
目前周星工程已與四大洲的多家半導體企業建立合作關系，合作范圍覆蓋設備研發、工藝驗證到量產導入的全鏈條。雖然受保密協議限制未披露具體客戶信息，但業內人士推測此次交付對象很可能是存儲芯片或邏輯芯片領域的頭部企業。
