盛美半導(dǎo)體（ACM Research）近日宣布，其自主研發(fā)的首臺等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）碳氮化硅（SiCN）設(shè)備已完成交付準(zhǔn)備，正式發(fā)往客戶工廠進行最終驗證。這一突破標(biāo)志著盛美在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)版圖進一步擴展，為先進制程工藝提供了關(guān)鍵裝備支持。

該設(shè)備專為300mm（12英寸）晶圓制造設(shè)計，可精準(zhǔn)滿足55nm及以下制程節(jié)點中后段金屬互聯(lián)工藝對SiCN薄膜的嚴苛要求，同時兼容先進封裝領(lǐng)域的應(yīng)用需求。通過旋轉(zhuǎn)沉積技術(shù)，設(shè)備實現(xiàn)了高均勻性的薄膜生長，為芯片性能提升提供了重要保障。

在結(jié)構(gòu)設(shè)計上，該設(shè)備創(chuàng)新性地配置了四個晶圓裝載口與三個獨立工藝腔體。每個工位負責(zé)沉積總膜厚的三分之一，并配備獨立射頻系統(tǒng)，確保工藝參數(shù)的精確控制。其最高工藝溫度可達400℃，能夠適應(yīng)多種復(fù)雜材料體系的加工需求。

盛美上海總經(jīng)理王堅指出，此次設(shè)備交付是公司技術(shù)迭代的重要里程碑。通過模塊化架構(gòu)與智能化控制系統(tǒng)的結(jié)合，該平臺不僅支持現(xiàn)有工藝需求，更具備向更先進制程延伸的潛力，可為半導(dǎo)體制造企業(yè)應(yīng)對器件集成復(fù)雜度提升提供關(guān)鍵解決方案。