三星電子正加速布局高端AI內存市場，其下一代高帶寬內存（HBM）產品的研發進程已進入關鍵階段。據行業消息，三星計劃于2026年5月前完成首批符合英偉達標準的HBM4E樣品生產，試圖在激烈的市場競爭中進一步擴大優勢。
為實現這一目標，三星制定了詳細的時間表。其代工部門被要求在下月中旬前完成HBM4E核心邏輯芯片的樣品制造。這些芯片將與專為HBM4E設計的DRAM芯片進行封裝，形成首批工程樣品。隨后，樣品需通過內部嚴格的性能測試，確保各項指標達標后，才會被送往英偉達進行驗證。
在技術層面，HBM4E延續了前代HBM4的架構設計，采用1c nm DRAM Die與4nm Base Die的組合。不過，三星對工藝細節進行了深度優化，旨在提升產品的整體性能和可靠性。這種改進不僅體現在芯片制造環節，還涉及后續的封裝測試流程。
三星晶圓代工部門承擔著核心生產任務。根據規劃，該部門需在5月中旬前完成HBM4E性能樣品Base Die的制造，并交付給存儲器業務部門進行3D封裝。這一環節對產品的最終性能至關重要，因此三星在生產過程中采用了多項創新技術，以確保良率和質量達到預期標準。
