【中文科技資訊】11月15日消息，最新消息顯示，三星計劃進一步擴大其ASML極紫外(EUV)光刻設備的進口規模，這一決定引起了業界的廣泛關注。據了解，該科技巨頭將在未來五年內向ASML購買總計50套EUV光刻設備，每套設備的價格約為2000億韓元，總價值可達10萬億韓元。
雖然具體的合同細節因保密條款而未能披露，但證券市場的消息人士透露，此次協議將進一步確保三星在先進半導體工藝領域的競爭力。這也引發了業內對ASML最新一代“High NA EUV”光刻設備是否涵蓋在內的猜測。目前EUV光刻設備的生產受到嚴格限制，每年的產量非常有限，僅能滿足有限的市場需求。
據中文科技資訊了解，去年六月，三星電子推出了全球首個采用全柵極(GAA)技術的3納米代工技術，成為業內的領先者。為了保持技術領先并在半導體領域保持競爭力，三星電子將加快升級工藝，計劃在明年上半年實現3納米世代的第二代工藝，并分別在2025年和2027年進入2納米和1.4納米工藝。
半導體領域的專業分析師對三星電子的EUV光刻設備增購計劃表示積極看法。祥明大學系統半導體工程教授李鐘煥表示：“三星已經引進了數十臺EUV光刻設備，每臺設備的成本大約為2000億韓元，這表明公司有意擴大3納米產能，并在未來實現2納米計劃。”
此前，三星電子已經宣布計劃在2025年之前擁有100臺EUV光刻機，目前市場估計其EUV機群已達40臺左右。若這次50臺設備交付成功，三星電子將在2028年前后擁有約100臺EUV光刻設備，為其未來的技術研發和生產提供更強有力的支持。
荷蘭應用科學研究所(TNO)韓國代表樸炳勛解釋稱：“一般情況下，半導體工藝可以將每臺機器的10%用于研發和測試，而擁有100臺機器則表示可以全天候用于研發。”他還強調：“通過這一舉措，我們將確保有足夠的工藝能力來正確使用這些設備，從而降低時間和成本，并提高產量。”
工業研究所的專家研究員金陽邦表示：“一旦我們擁有了大量的EUV設備，并且技術穩定，我們將能夠提高產量，并在代工方面取得更大的進展。”這一舉措預示著三星電子在未來半導體市場上將繼續保持技術創新的領先地位。
