在近期于荷蘭阿姆斯特丹舉辦的2025年OIP（開放創新平臺）生態系統論壇歐洲場活動中，臺積電分享了關于首代定制HBM內存的技術規劃，引發行業關注。這一消息源于德媒Hardwareluxx編輯Andreas Schilling在社交平臺發布的現場圖片資料。
據臺積電透露，定制化HBM內存的商業化落地將與HBM4E標準同步推進，其內部代號為C-HBM4E。這一判斷與美光首席商務官Sumit Sadana此前公開的觀點不謀而合，雙方均認為HBM4E時代將成為定制化內存技術的關鍵轉折點。
針對不同市場需求，臺積電在HBM4時代已布局雙軌制程方案：面向主流市場的N12FFC+工藝與追求極致性能的N5工藝并行發展。這種差異化策略既保證了技術覆蓋的廣度，也為高端應用預留了升級空間。
在C-HBM4E的研發中，臺積電創新性地將內存控制器（MC）直接集成至基礎裸片（Base Die），通過N3P先進制程實現這一設計突破。據技術資料顯示，該方案可使能效表現達到HBM3E基礎裸片的兩倍水平，同時將工作電壓從HBM4的0.8V進一步降至0.75V，在降低功耗方面取得顯著進展。
這種集成化設計不僅優化了計算芯片的面積利用率，更通過縮短信號傳輸路徑提升了數據訪問效率。行業分析師指出，隨著AI算力需求的持續增長，此類高度定制化的內存解決方案將成為高端計算芯片的核心競爭力之一。
