隨著人工智能領域對算力的需求不斷增長，高帶寬內存（HBM）正朝著堆疊層數更多、運行速度更快的方向加速迭代。然而，這一發展進程也帶來了一個棘手的問題——發熱，它已成為影響產品穩定性的關鍵阻礙。

為攻克這一難題，SK海力士于近日宣布推出了一項名為“iHBM”的控溫散熱存儲技術。該技術通過在高帶寬內存封裝內部直接集成一體化冷卻元件，從結構層面入手，有效解決了散熱問題。

iHBM技術的核心在于SK海力士新研發的冷卻元件“ICE”。這是一種采用絕緣且高導熱性的硅基材料制成的元件。在傳統HBM產品中，主要依靠熱量從核心芯片向外傳導的間接散熱方式。而iHBM技術則另辟蹊徑，直接在發熱最為集中的D2D PHY區域嵌入ICE元件，為該區域構建了專用的熱量排出通道。

經過實際測試，與傳統的散熱方案相比，iHBM技術的熱阻降低了30%以上。這意味著在高溫、高負載等嚴苛的使用環境中，產品運行的穩定性能夠得到有力保障，減少了因過熱導致的性能下降或故障等問題。

在量產方面，iHBM技術采用了已在市場中廣泛驗證的先進MR - MUF晶圓級封裝工藝。這種工藝成熟可靠，能夠實現規模化穩定量產，為該技術的大規模應用提供了堅實基礎。

iHBM技術還具備良好的設計兼容性。它與客戶現有的系統級封裝環境能夠較好地適配，客戶無需對現有設計進行大規模改動，就可以直接部署該技術。這大大降低了實際導入的技術門檻，有助于iHBM技術更快地在市場中推廣應用。

SK海力士計劃將iHBM技術應用于HBM5等下一代產品中。高性能計算及AI數據中心等超高集成度、高帶寬應用場景對散熱管理有著極高的要求，iHBM技術有望在這些領域發揮重要作用，滿足其散熱需求。