存儲芯片領域的競爭再度升溫，SK海力士與三星在LPDDR6內(nèi)存模塊的研發(fā)上展開激烈角逐。據(jù)行業(yè)消息，SK海力士近日正式公布了其新一代LPDDR6內(nèi)存模塊的詳細參數(shù)，引發(fā)市場廣泛關注。

這款內(nèi)存模塊采用1cnm DRAM制造工藝，單顆容量達到16Gb，傳輸速率高達14.4Gbps，已觸及當前JEDEC標準的技術上限。憑借這一性能指標，它成為目前市場上公開規(guī)格中速度最快的LPDDR6產(chǎn)品。SK海力士方面表示，該產(chǎn)品專為端側AI場景優(yōu)化設計，在數(shù)據(jù)處理速度和能效表現(xiàn)上較前代產(chǎn)品均有顯著提升，能夠更好地滿足人工智能應用對低延遲、高帶寬的需求。

與此同時，三星也在加速推進LPDDR6的研發(fā)進程。此前，三星已推出基于12nm工藝、速率為10.7Gbps的版本。為縮小與競爭對手的差距，三星正在開發(fā)速率提升至12.8Gbps、容量同樣為16Gb的新模塊。不過，由于制造制程相對落后，三星該方案的芯片面積略大于SK海力士的產(chǎn)品。

據(jù)供應鏈消息，三星并未止步于此，其研發(fā)團隊正在對新一代LPDDR6進行持續(xù)優(yōu)化，目標是將傳輸速率進一步提升至14Gbps。若這一目標實現(xiàn)，三星產(chǎn)品的性能將與SK海力士當前水平基本持平，市場競爭格局或將因此發(fā)生新的變化。隨著兩大存儲巨頭在LPDDR6領域的持續(xù)投入，高端移動內(nèi)存市場的技術迭代速度有望進一步加快。