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SK海力士攜手英特爾:借EMIB技術(shù)為HBM存儲芯片謀新出路

   時間:2026-05-12 14:41 來源:快訊作者:沈如風(fēng)

存儲行業(yè)巨頭SK海力士正與英特爾展開技術(shù)合作,共同探索EMIB封裝技術(shù)在HBM存儲芯片領(lǐng)域的應(yīng)用。這一動作源于臺積電CoWoS封裝產(chǎn)能持續(xù)緊張,促使SK海力士尋求替代方案以保障高端存儲產(chǎn)品的供應(yīng)穩(wěn)定性。

作為英特爾開發(fā)的2.5D封裝技術(shù),EMIB通過硅中介層實現(xiàn)芯片與基板的高密度互連,其核心優(yōu)勢在于突破傳統(tǒng)封裝對芯片布局的限制。相較于行業(yè)通用的封裝標(biāo)準(zhǔn),該技術(shù)允許不同尺寸的芯片以更靈活的方式排列組合,特別適合需要集成多種功能模塊的AI計算芯片。

據(jù)行業(yè)報告披露,SK海力士已啟動可行性評估,計劃將HBM存儲芯片通過EMIB技術(shù)與邏輯芯片直接連接。這種集成方式可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率,滿足人工智能訓(xùn)練對內(nèi)存帶寬的嚴(yán)苛要求。為確保量產(chǎn)可行性,該公司同步推進原材料供應(yīng)鏈的本地化布局,重點攻關(guān)中介層、基板等關(guān)鍵材料的穩(wěn)定供應(yīng)。

封裝良率成為決定合作成敗的關(guān)鍵變量。盡管英特爾此前公布EMIB-T驗證良率達90%,但市場分析指出,實驗室數(shù)據(jù)與大規(guī)模量產(chǎn)存在本質(zhì)差異。實際生產(chǎn)中,中介層制造精度、多層互連可靠性等環(huán)節(jié)仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn),這直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的成本競爭力。

這場技術(shù)博弈正引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈連鎖反應(yīng)。谷歌等科技巨頭已將EMIB納入下一代TPU芯片的備選方案,持續(xù)觀察其量產(chǎn)表現(xiàn)。隨著全球先進封裝產(chǎn)能持續(xù)吃緊,包括AMD、英偉達在內(nèi)的多家企業(yè)都在加速布局2.5D/3D封裝技術(shù),試圖在AI芯片供應(yīng)鏈中占據(jù)有利位置。

行業(yè)觀察人士指出,SK海力士與英特爾的合作具有雙重戰(zhàn)略意義:既可緩解當(dāng)前CoWoS產(chǎn)能短缺的燃眉之急,又能為HBM4等下一代存儲產(chǎn)品積累封裝技術(shù)儲備。隨著AI算力需求指數(shù)級增長,存儲與計算單元的集成度將成為決定芯片性能的關(guān)鍵指標(biāo),這場封裝技術(shù)競賽或?qū)⒅厮馨雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

 
 
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