ASML公司首席執行官傅恪禮近日宣布，采用新一代高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術制造的首批芯片產品，將在未來幾個月內正式進入市場。這項技術將同時應用于邏輯芯片和存儲芯片兩大關鍵領域，標志著半導體制造工藝向2納米以下先進制程邁出重要一步。
據介紹，High-NA EUV光刻機通過優化光學系統分辨率，使芯片特征尺寸縮小幅度達到66%，相當于將相機對焦精度提升至全新水平。這項突破性技術被視為突破先進制程物理極限的核心手段，能夠顯著降低高端芯片的電路光刻成型成本，特別適用于人工智能加速芯片和高帶寬內存（HBM）/動態隨機存取存儲器（DRAM）等高端存儲產品的制造需求。
盡管單臺設備造價高達4億美元，約為現有EUV光刻機的兩倍，但ASML強調該技術通過規模化應用可逐步攤薄單顆芯片制造成本。作為ASML最大客戶，臺積電數周前曾公開表示，受限于初期投入成本，暫時不具備大規模采用的條件。不過半導體行業分析指出，隨著技術成熟度提升，設備成本分攤效應將逐步顯現。
在產業布局方面，英特爾展現出積極姿態。該公司已在俄勒岡州波特蘭工廠完成兩臺High-NA EUV光刻機的安裝調試，累計處理晶圓數量突破3萬片。根據規劃，英特爾將于2027至2028年實現14A制程（相當于1.4納米）的大規模量產，成為首個將該技術應用于量產的邏輯芯片制造商。
存儲芯片領域同樣動作頻頻。韓國SK海力士明確表示，計劃在2024年內首次導入High-NA EUV技術，用于下一代DRAM內存的生產。這項技術將助力其開發容量更大、速度更快的存儲產品，滿足人工智能、數據中心等新興領域對高性能存儲的爆發式需求。
行業觀察人士指出，High-NA EUV光刻機的商業化進程，標志著半導體制造進入"超精細加工"時代。雖然初期設備成本高昂，但其在提升芯片性能、降低單位功耗等方面的優勢，將推動全球半導體產業向更高制程節點持續突破。隨著英特爾、SK海力士等廠商的率先布局，這項技術有望在2025年后形成更廣泛的應用生態。
