據知名機構Yole最新發布的行業報告顯示，全球DRAM內存市場正經歷一輪顯著的需求增長周期。以存儲容量（bit）為統計口徑，2026年全球DRAM需求預計將較上年提升23%，其中數據中心領域的需求增幅尤為突出，達到28%，對整體增長的貢獻率超過半數。

數據中心對DRAM產能的虹吸效應持續加劇。報告指出，當前數據中心已占據全球DRAM總產能的半壁江山，其中人工智能相關負載的消耗占比高達30%。這種結構性需求變化迫使非數據中心領域的企業調整供應鏈策略，通過提前備貨、增加庫存等方式保障生產連續性，進一步推高了現貨市場的緊張程度。價格走勢印證了這一趨勢——參考主要廠商的業績指引，2024年第四季度內存價格已較前三季度上漲30%。

產能擴張的滯后性成為制約市場供應的關鍵因素。Yole分析認為，DRAM晶圓廠從新建到量產通常需要2-3年周期，盡管部分廠商已啟動擴產計劃，但2025年全球供應量僅能實現小幅增長，新增產能大規模釋放需待2027年。這種供需時間錯配將支撐本輪行情延續至2027年，期間市場價格可能維持高位運行。