安森美半導體與格羅方德半導體（GF）近日達成一項重要合作協議，雙方將攜手開發并制造先進的氮化鎵（GaN）功率產品。此次合作中，安森美將采用格羅方德先進的200mm（8英寸）eMode硅基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝技術，共同推進功率半導體領域的創新發展。

根據合作框架，雙方將率先推出650V規格的氮化鎵器件。這款產品計劃于2026年上半年向客戶提供樣品，并迅速進入量產階段。通過格羅方德制造的安森美產品，將具備更高的性能和可靠性，能夠滿足多個關鍵領域日益增長的功率需求。

這些先進氮化鎵功率產品的應用范圍廣泛，涵蓋人工智能數據中心、電動汽車、可再生能源系統以及工業自動化等多個領域。航空航天、國防和安全等對功率半導體要求極高的行業，也將從此次合作中受益。雙方的合作不僅推動了氮化鎵技術的商業化進程，也為全球功率半導體市場注入了新的活力。