12 月 6 日消息，據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電沖刺 3nm 制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)階段。在三星 3nm 要搶先臺(tái)積電，于明年上半年量產(chǎn)之際，業(yè)界傳出臺(tái)積電正加快 3nm 量產(chǎn)腳步，有望至少提前一季度至明年第二季度量產(chǎn)。

臺(tái)積電不評(píng)論 3nm 制程相關(guān)市場(chǎng)傳聞。業(yè)界人士指出，臺(tái)積電與三星在先進(jìn)制程與海外布局方面競(jìng)爭(zhēng)激烈，三星目前在美國新廠投資規(guī)模暫時(shí)領(lǐng)先，意在 3nm 量產(chǎn)日程方面超過臺(tái)積電，消息稱高通、AMD 等臺(tái)積電重量級(jí)客戶都有意導(dǎo)入三星 3nm 制程。

業(yè)界人士透露，臺(tái)積電面對(duì)三星的追趕，正積極加快 3nm 量產(chǎn)腳步，若能提前量產(chǎn) 3nm，預(yù)計(jì)第一批客戶將有包括聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)等大廠。聯(lián)發(fā)科執(zhí)行長(zhǎng)蔡明介日前表示，與臺(tái)積電合作緊密，5nm 及 4nm 產(chǎn)品已在量產(chǎn)過程中，3nm 會(huì)是下一個(gè)制程。

臺(tái)積電與三星在 3nm 架構(gòu)方面完全不同，臺(tái)積電沿用既有的 FinFET 架構(gòu)，三星則采用全新的 GAA 架構(gòu)。

臺(tái)積電原本規(guī)劃，3nm 制程今年內(nèi)風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，預(yù)計(jì)明年下半開始量產(chǎn)，3nm 制程家族的 N3E 制程將于 3nm 量產(chǎn)之后的一年量產(chǎn)，3nm 家族將是另一項(xiàng)具大規(guī)模且長(zhǎng)期需求的制程技術(shù)。