【中文科技資訊】11月23日消息，根據韓國媒體Business Korea的報道，市場內部消息人士透露，由于中國大陸加大對存儲器產業的支持，該領域在過去幾年取得了顯著進展。與全球領先企業如三星、SK海力士等相比，中國企業在NAND閃存技術上的差距已經縮小到僅有2年。
業內人士指出：“盡管DRAM技術仍然存在5年以上的差距，但由于NAND技術的較低壁壘，中國企業在政府的大力支持下迅速迎頭趕上，不斷縮小技術差距。雖然中國企業在市場競爭方面仍有不足，但顯然已經加速了技術追趕的步伐。”
報道特別提到了長江存儲，該公司在2022年閃存峰會(FMS)上正式發布了基于晶棧3.0(Xtacking 3.0)架構的第四代3D TLC NAND閃存芯片，名為X3-9070。盡管在從176層到232層的量產過程中遭到了外界的質疑，但長江存儲用不到1年的時間成功量產了X3-9070。
除了應用于致態TiPlus7100系列SSD外，X3-9070還被用于海康威視的CC700 2TB SSD上，成為首個進入零售市場的200+層3D NAND閃存解決方案，領先于三星、美光、SK海力士等競爭對手。
報道還指出，隨著半導體電路的小型化接近極限，中國企業正在抓住先進封裝(Efficient packaging)的機會，進一步縮小技術差距。在半導體業內，先進封裝主要封裝多個芯片以提高性能，被認為是克服技術挑戰的關鍵。
根據市場研究公司IDC的數據，中國大陸在半導體封裝領域占有第二大市場份額。去年，長電科技、通富微電和華天科技三家公司進入全球前10大半導體封裝(OSAT)公司，而韓國則沒有一家公司進入該榜單。
