【中文科技資訊】7月18日消息，根據(jù)Hi Investment & Securities機(jī)構(gòu)最新發(fā)布的報(bào)告顯示，三星Foundry在3納米(nm)工藝上的良率達(dá)到了60%，超過(guò)了臺(tái)積電的55%。

據(jù)報(bào)道，三星Foundry正積極推動(dòng)3納米工藝的發(fā)展，并不斷改進(jìn)生產(chǎn)工藝以提高良率。目前，他們已經(jīng)成功將良率提升至60%。分析師認(rèn)為，這使得三星有望在超先進(jìn)芯片制造技術(shù)上超越臺(tái)積電。

同樣在報(bào)告中指出，三星Foundry在4納米工藝方面的良率為75%，稍遜于臺(tái)積電的80%，存在一定差距。然而，通過(guò)加大在3納米工藝上的投入，三星Foundry有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。

據(jù)中文科技資訊了解，報(bào)告還指出，由于蘋(píng)果預(yù)訂了臺(tái)積電大部分訂單，英偉達(dá)、高通等公司對(duì)三星的第二代3納米(SF3)工藝表現(xiàn)出濃厚的興趣。

此前，三星Foundry在SFF 2023(Samsung Foundry Forum)上發(fā)布了最新的工藝技術(shù)路線圖。根據(jù)該路線圖，三星計(jì)劃于2025年推出2納米級(jí)的SF2工藝，并在2027年推出1.4納米級(jí)的SF1.4工藝。同時(shí)，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。