LG電子正全力投入高帶寬存儲器（HBM）領域關鍵設備的研發工作。據行業消息，該公司正在開發一款用于HBM的混合鍵合堆疊設備早期版本，這項技術對提升存儲器性能至關重要。
該項目由LG電子生產工程研究所（PRI）主導，于去年6月正式啟動。在研發過程中，LG電子獲得了多方支持，其中Justem公司負責開發該設備的系統部分。經過數月的努力，項目團隊已成功完成內部測試的原型alpha版本，目前正處于概念驗證階段。
混合鍵合工藝是該設備研發的核心環節。項目團隊正使用專門設計的模塊和鍵合頭進行密集測試，通過不斷優化工藝參數，確保設備性能能夠達到預期目標。這種精細化的測試流程對于提升HBM的集成度和性能至關重要。
根據規劃，該項目預計將于2029年完成全部研發工作，目標精度設定為200納米。然而，這一精度指標與當前行業領先水平存在差距。據悉，Besi公司已實現商業化應用的同類設備精度達到100納米。行業分析人士指出，這種精度差異可能會影響LG電子設備在三年后面世時的市場競爭力。
