日本先進半導體制造商Rapidus近日披露了其尖端制程研發的最新進展。公司首席技術官石丸一成在接受《日經XTECH》專訪時透露，通過優化技術路線，Rapidus計劃將1nm制程節點與臺積電的差距從行業普遍預期的兩年以上縮短至半年左右。這一目標建立在2nm工藝快速迭代的基礎上，顯示出該企業試圖在先進制程領域實現彎道超車的野心。
回顧2nm制程的研發歷程，石丸一成坦言初期遭遇重大挑戰。2025年7月啟動的GAA晶體管試制項目中，由于工藝設備調試與材料供應鏈準備不足，首批樣品性能未達預期。但通過持續技術攻關，該團隊在去年第四季度實現突破性進展，晶體管密度與能效比顯著提升。目前Rapidus已制定明確時間表：2026年底開始為客戶定制2nm測試芯片，2027年正式進入量產階段。
在制程節點銜接方面，Rapidus采取"跨代開發"策略。公司計劃于2026年全面啟動1.4nm制程研發，該節點將作為2nm向1nm過渡的關鍵技術平臺。通過與IBM持續深化合作，Rapidus將整合雙方在納米片晶體管結構、高K金屬柵極等領域的專利技術。值得注意的是，其研發團隊中超過半數工程師常駐紐約州奧爾巴尼納米技術中心，這種跨國協作模式為技術突破提供了重要支撐。
根據規劃，1.4nm制程將于2029年實現量產，屆時Rapidus將同步推進1nm制程的預研工作。石丸一成特別強調，通過采用新型材料體系與極紫外光刻（EUV）的深度優化，新一代制程有望在晶體管微縮與功耗控制方面取得突破。不過他也承認，要實現既定目標仍需克服設備交付延遲、良率提升等現實挑戰。
