英特爾代工近日宣布，其與荷蘭光刻機巨頭ASML攜手完成了一項重要技術突破——首臺“二代”High NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B的驗收測試工作順利完成。這一成果標志著半導體制造設備向更高精度、更高效率的方向邁出了關鍵一步。

與主要用于前期工藝研發的“一代”機型EXE:5000相比，EXE:5200B在量產適配性上實現了顯著提升。該設備搭載了功率更高的EUV光源，使得單位時間內輸出的光能量大幅增加，直接推動晶圓處理能力提升至每小時175片。同時，其套刻精度優化至0.7納米，為制造更復雜的芯片結構提供了技術保障。通過引入新型晶圓存儲架構，設備在長時間運行中的穩定性得到增強，有助于減少生產過程中的波動。

在另一項技術進展中，英特爾代工與比利時微電子研究中心imec在2025 IEEE國際電子器件會議（IEDM）上聯合展示了2DFET材料的關鍵工藝突破。雙方合作完成了對氧化物帽層的選擇性凹陷刻蝕技術驗證，并在12英寸試產線上成功制造出具備大馬士革型頂接觸結構的晶體管。這一成果為未來先進制程的晶體管設計提供了新的工藝路徑。