據韓國媒體綜合報道，三星電子半導體部門正全力推進產能擴張，以應對人工智能技術快速發展帶來的先進邏輯芯片與存儲芯片需求激增。
在邏輯芯片領域，三星位于美國得克薩斯州泰勒市的2納米晶圓廠已進入關鍵建設階段。該工廠EUV光刻機測試工作全面展開，蝕刻與沉積等核心工藝設備正分批次進場安裝。根據規劃，這座投資數百億美元的先進制程工廠將于今年內啟動試生產，預計到2027年實現月產3萬片晶圓的滿負荷運轉。該項目的推進標志著三星在2納米制程競賽中取得重要進展，有望與臺積電形成直接競爭。
存儲芯片業務方面，三星電子持續加碼平澤P4晶圓廠集群建設。最新消息顯示，該集群最后兩個生產階段PH2和PH4已獲得大規模前端設備訂單，將專注于生產支持HBM4至HBM5標準的1c納米DRAM芯片。其中PH4階段設備導入工作將于5-6月啟動，整體進度領先于其他階段；PH2階段潔凈室建設已全面展開，裝機工作定于11月啟動，預計2027年2月完成全部建設。
平澤P4集群現有建設進展順利：PH1階段已完成全部投資，PH3階段設備安裝接近尾聲，預計年內可實現每月1.3萬至1.4萬片晶圓的投片量。作為全球最大的半導體生產基地，平澤園區通過分階段建設模式持續提升產能，其1c納米DRAM生產線將重點滿足人工智能服務器對高帶寬內存的旺盛需求。業內分析指出，三星通過同時推進邏輯芯片與存儲芯片產能建設，正在構建完整的AI芯片供應鏈體系。
