據(jù)韓國(guó)科技媒體披露，三星電子在下一代高帶寬內(nèi)存HBM4的研發(fā)進(jìn)程中取得關(guān)鍵突破。消息人士透露，三星為英偉達(dá)明年計(jì)劃推出的新一代AI加速器定制的HBM4產(chǎn)品，在系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）測(cè)試中斬獲行業(yè)最高評(píng)分，運(yùn)行速度與能效表現(xiàn)均領(lǐng)先于其他內(nèi)存供應(yīng)商。

半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，英偉達(dá)技術(shù)團(tuán)隊(duì)上周專程赴三星平澤工廠，重點(diǎn)核驗(yàn)HBM4的SiP技術(shù)整合進(jìn)度。這種封裝技術(shù)通過(guò)將GPU核心、存儲(chǔ)芯片、中介層及電源管理模塊等組件集成于單一封裝體，可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率并降低功耗。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，三星方案在帶寬密度和每瓦性能等核心指標(biāo)上達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿水平，為其通過(guò)英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證增添重要籌碼。

市場(chǎng)分析認(rèn)為，若三星能按計(jì)劃在明年上半年通過(guò)最終驗(yàn)證，其HBM4供貨量或?qū)⑦h(yuǎn)超預(yù)期。有供應(yīng)鏈消息指出，英偉達(dá)對(duì)三星產(chǎn)品的需求規(guī)模較內(nèi)部評(píng)估值高出30%以上，這可能為三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來(lái)數(shù)十億美元的營(yíng)收增長(zhǎng)。三星平澤P4生產(chǎn)線擴(kuò)建工程已進(jìn)入最后階段，預(yù)計(jì)首季度可完成產(chǎn)能爬坡，二季度啟動(dòng)全面量產(chǎn)。

盡管三星在技術(shù)測(cè)試中表現(xiàn)亮眼，但其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士仍保持先發(fā)優(yōu)勢(shì)。SK海力士已于9月完成HBM4量產(chǎn)線調(diào)試，并向英偉達(dá)交付首批付費(fèi)樣品進(jìn)入試產(chǎn)階段，較三星提前約三個(gè)月。不過(guò)業(yè)內(nèi)人士指出，相較于HBM3E時(shí)代兩家企業(yè)近一年的技術(shù)代差，此次HBM4的研發(fā)競(jìng)賽差距已大幅收窄。

系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)正成為HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的新焦點(diǎn)。該技術(shù)通過(guò)三維堆疊設(shè)計(jì)突破傳統(tǒng)封裝限制，使內(nèi)存帶寬密度提升數(shù)倍的同時(shí)，將信號(hào)傳輸延遲控制在納秒級(jí)別。英偉達(dá)等AI芯片廠商普遍認(rèn)為，SiP技術(shù)將成為突破算力瓶頸的關(guān)鍵路徑，這也解釋了為何頭部企業(yè)紛紛加大在該領(lǐng)域的研發(fā)投入。