近日，軟銀集團與英特爾達成一項重要合作協(xié)議，雙方將共同推動下一代存儲技術Z-Angle Memory（ZAM）的商業(yè)化進程，以應對人工智能（AI）和高性能計算領域不斷增長的需求。這一合作標志著兩大科技巨頭在存儲技術領域的深度融合，有望為全球算力基礎設施帶來新的變革。

根據(jù)合作協(xié)議，軟銀全資子公司Saimemory將與英特爾攜手，計劃在2028年3月31日前推出ZAM技術原型產(chǎn)品，并于2029財年實現(xiàn)正式商業(yè)化。這一技術旨在數(shù)據(jù)中心及大規(guī)模AI模型訓練和推理環(huán)境中，實現(xiàn)高容量、高帶寬的數(shù)據(jù)處理，同時提升處理性能并降低功耗。合作消息公布后，軟銀和英特爾的股價均出現(xiàn)上漲，軟銀股價在Robinhood交易中上漲3.13%，英特爾股價上漲5%。

此次合作的核心方向是聯(lián)合研發(fā)先進存儲器的核心技術。英特爾將重點提升下一代動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的性能與能效，以滿足AI算力的高強度需求。英特爾技術CTO Joshua Fryman表示，現(xiàn)有標準內(nèi)存架構已無法滿足AI技術的發(fā)展需求，英特爾已研發(fā)出全新的內(nèi)存架構與芯片組裝方法，能夠在提升DRAM性能的同時，有效降低功耗與生產(chǎn)成本，預計未來十年將實現(xiàn)大規(guī)模商用。

當前，AI相關應用對存儲內(nèi)存的需求正呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，市場對AI存儲的需求已遠超供應能力，內(nèi)存供應鏈出現(xiàn)明顯短缺。ZAM計劃對能源效率的重點打磨，正是針對AI計算高能耗的行業(yè)痛點，回應了市場對低功耗算力基礎設施的需求。據(jù)《日經(jīng)亞洲》報道，已有日本跨國IT設備與服務企業(yè)參與到該技術項目的研發(fā)中。

Saimemory成立于2024年12月，是軟銀集團旗下專注于下一代存儲技術商業(yè)化研發(fā)的全資子公司。此次與英特爾的合作，是其成立后的核心布局之一。在技術研發(fā)過程中，Saimemory將依托英特爾在下一代DRAM綁定（NGDB）項目中的技術積淀。NGDB項目由英特爾主導，旨在大幅提升計算機和服務器主存DRAM的性能與能效，其技術研發(fā)還依托于美國能源部支持的先進存儲技術（AMT）項目。

按照規(guī)劃，Saimemory的目標是在2028年3月31日前完成ZAM技術原型的研發(fā)，并在2029財年實現(xiàn)商業(yè)化。軟銀表示，未來將繼續(xù)攜手英特爾，聯(lián)合全球各地的技術合作伙伴與日本國內(nèi)外研究機構深化研發(fā)，助力日本本土先進半導體技術的創(chuàng)新，提升日本在全球半導體領域的核心競爭力。

隨著全球科技企業(yè)對存儲技術的持續(xù)投入，下一代存儲技術的產(chǎn)業(yè)化落地速度或?qū)⑦M一步加快，推動算力基礎設施向更高效、更低耗的方向升級。軟銀與英特爾的此次合作，不僅整合了雙方在技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)資源上的優(yōu)勢，也為AI時代低功耗、高性能存儲技術的發(fā)展提供了新的可能。